Новости космоса и технологий. » Нанотехнологии » Ученые «вращают» магниторезистивное ОЗУ

Ученые «вращают» магниторезистивное ОЗУ

Опубликовал: Admin, 25-09-2020, 01:01, Нанотехнологии, 80, 0

Ученые «вращают» магниторезистивное ОЗУ

Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM) - лучший кандидат для цифровых технологий следующего поколения. Однако эффективное и действенное управление MRAM является сложной задачей. Междисциплинарная исследовательская группа, базирующаяся в Национальном университете Цин Хуа (NTHU) на Тайване, во главе с профессором Чи-Хуанг Лай, факультет материаловедения и инженерии, и профессором Сю-Хау Линь, факультет физики, достигла прорыва. Добавляя слой платины толщиной всего в несколько нанометров, их устройство генерирует спиновой ток для переключения закрепленных магнитных моментов по желанию - задача, которую никогда раньше не выполняли. MRAM особенно перспективна для более быстрого чтения и записи, снижения энергопотребления и сохранения данных при отключении электроэнергии.

В настоящее время обработка информации в цифровых устройствах в основном выполняется с использованием динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), но она потребляет значительную мощность и сталкивается с серьезными препятствиями при уменьшении размера. DRAM использует заряд электронов. «Но у электронов есть заряд и спин», - сказал Лай. «Почему нельзя работать со спином электрона, чтобы управлять MRAM?» Чтобы воплотить эту идею в жизнь, Лай и Линь сформировали междисциплинарную исследовательскую группу с докторантами Бохонг Линем и Боюан Янгом.

Лин объяснил, что структура MRAM похожа на бутерброд. Верхний слой состоит из свободно переворачиваемого магнита, используемого для вычисления данных, а нижний слой состоит из фиксированного магнита, отвечающего за хранение данных. Эти два слоя разделены оксидным слоем.

Задача состоит в том, чтобы переключить эти слои электрическими средствами. После долгой серии экспериментов они добились успеха с нанометровым слоем платины. Из-за спин-орбитального взаимодействия электрический ток сначала приводит в движение коллективное движение электронных спинов. ток вращения затем эффективно и точно переключает закрепленный магнитный момент.

В последние годы NTHU продвигает междисциплинарное сотрудничество, такое как исследование MRAM, проведенное экспертом по материалам Лай и физиком Лином.

Технологией MRAM занимаются крупные международные компании, в том числе TSMC, Intel и Samsung. Вполне вероятно, что массовое производство MRAM с высокой плотностью записи начнется где-то в этом году, и в этой разработке исследовательская группа во главе с Лаем и Линем сыграла ключевую роль.

В настоящее время исследовательская группа распространяет свое новаторское открытие на другие структуры, и ожидается, что их результаты окажут серьезное влияние на развитие технологии памяти. По мнению Лая, развитие технологии MRAM будет иметь решающее влияние на будущий рост и развитие мировой полупроводниковой промышленности.


Источник


У данной публикации еще нет комментариев. Хотите начать обсуждение?

Написать комментарий
Имя:*
E-Mail:
Введите код: *
Кликните на изображение чтобы обновить код, если он неразборчив


Поиск по сайту
Полезные ссылки
Оцените работу сайта

TEHNONEWS

Новости космоса технологий нанотехнологий физики и химии